SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-50336"
 

Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-50336" > Measurement of micr...

Measurement of micrometer diffusion lengths by nuclear spectrometry

Strokan, N.B. (författare)
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, 194021, Russian Federation
Ivanov, A.M. (författare)
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, 194021, Russian Federation
Lebedev, A.A. (författare)
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, 194021, Russian Federation
visa fler...
Syväjärvi, Mikael (författare)
Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
Yakimova, Rositsa (författare)
Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
visa färre...
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St Petersburg, 194021, Russian Federation Tekniska högskolan (creator_code:org_t)
Pleiades Publishing Ltd, 2005
2005
Engelska.
Ingår i: Semiconductors (Woodbury, N.Y.). - : Pleiades Publishing Ltd. - 1063-7826 .- 1090-6479. ; 39:12, s. 1394-1398
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • A method for determination of diffusion lengths in the range 0.5-50 µm, which corresponds to carrier lifetimes in the nanosecond range, is suggested A calibrated nonequilibrium charge is injected into the base of the reverse-biased diode structure. The injection is provided by alpha particles generated by natural decay in the single-particle counting mode. The nuclear spectrometry technique is used to measure the amount of charge that diffused across the base to the boundary of the electric-field region. The loss of charge during the diffusion is calculated as a function of the depth of alpha particle penetration beyond the electric-field region. The derived power-law functions make it possible to relate the diffusion length with the exponent and numerical factor that describes the loss of charge. The experiment is performed with lightly doped 4H-SiC epitaxial films. © 2005 Pleiades Publishing, Inc.

Nyckelord

TECHNOLOGY
TEKNIKVETENSKAP

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Sök utanför SwePub

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy