Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-53204" >
Spatially direct an...
Spatially direct and indirect transitions of self-assembled SiGe/Si quantum dots studied by photoluminescence excitation spectroscopy
-
- Adnane, Bouchaib (författare)
- Linköpings universitet,Yt- och Halvledarfysik,Tekniska högskolan
-
- Karlsson, Fredrik (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Hansson, Göran (författare)
- Linköpings universitet,Yt- och Halvledarfysik,Tekniska högskolan
-
visa fler...
-
- Holtz, Per-Olof, 1951- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
- Ni, Wei-Xin (författare)
- Linköpings universitet,Yt- och Halvledarfysik,Tekniska högskolan
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- AIP Publishing, 2010
- 2010
- Engelska.
-
Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 96:18, s. 181107-
- Relaterad länk:
-
https://liu.diva-por... (primary) (Raw object)
-
visa fler...
-
http://liu.diva-port...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Well-resolved photoluminescence excitation (PLE) spectra are reported for selfassembled SiGe dots grown on Si(100) by molecular beam epitaxy. The observation of two excitation resonance peaks is attributed to two different excitation/de-excitation routes of interband optical transitions connected to the spatially direct and indirect recombination processes. It is concluded that two dot populations are addressed by each monitored luminescence energy for the PLE acquisition.
Nyckelord
- Ge-Si alloys
- luminescence
- molecular beam epitaxial growth
- self-assembly
- semiconductor quantum dots
- NATURAL SCIENCES
- NATURVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas