Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-54406" >
Hydrogen in InN: A ...
Hydrogen in InN: A ubiquitous phenomenon in molecular beam epitaxy grown material
-
- Darakchieva, Vanya (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Lorenz, K (författare)
- Institute of Tecnology and Nucl, Portugal
-
- Barradas, N P (författare)
- Institute of Tecnology and Nucl, Portugal
-
visa fler...
-
- Alves, E (författare)
- Institute of Tecnology and Nucl, Portugal
-
- Monemar, Bo (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Schubert, M (författare)
- University of Nebraska
-
- Franco, N (författare)
- Institute of Tecnology and Nucl, Portugal
-
- L Hsiao, C (författare)
- National Taiwan University
-
- Chen, L C (författare)
- National Taiwan University
-
- Schaff, W J (författare)
- Cornell University
-
- Tu, L W (författare)
- National Sun Yat Sen University
-
- Yamaguchi, T (författare)
- Ritsumeikan University
-
- Nanishi, Y (författare)
- Ritsumeikan University
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- AIP Publishing, 2010
- 2010
- Engelska.
-
Ingår i: APPLIED PHYSICS LETTERS. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 96:8, s. 081907-
- Relaterad länk:
-
https://liu.diva-por... (primary) (Raw object)
-
visa fler...
-
http://digitalcommon...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We study the unintentional H impurities in relation to the free electron properties of state-of-the-art InN films grown by molecular beam epitaxy (MBE). Enhanced concentrations of H are revealed in the near surface regions of the films, indicating postgrowth surface contamination by H. The near surface hydrogen could not be removed upon thermal annealing and may have significant implications for the surface and bulk free electron properties of InN. The bulk free electron concentrations were found to scale with the bulk H concentrations while no distinct correlation with dislocation density could be inferred, indicating a major role of hydrogen for the unintentional conductivity in MBE InN.
Nyckelord
- annealing
- dislocation density
- doping profiles
- hydrogen
- III-V semiconductors
- impurities
- indium compounds
- molecular beam epitaxial growth
- semiconductor doping
- semiconductor epitaxial layers
- semiconductor growth
- surface contamination
- wide band gap semiconductors
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Darakchieva, Van ...
-
Lorenz, K
-
Barradas, N P
-
Alves, E
-
Monemar, Bo
-
Schubert, M
-
visa fler...
-
Franco, N
-
L Hsiao, C
-
Chen, L C
-
Schaff, W J
-
Tu, L W
-
Yamaguchi, T
-
Nanishi, Y
-
visa färre...
- Artiklar i publikationen
-
APPLIED PHYSICS ...
- Av lärosätet
-
Linköpings universitet