id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-63097"
Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-63097" > High growth rate ep...
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
High growth rate epitaxy of 4H-SiC layers with improved crystal quality
-
- Syväjärvi, Mikael (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Yakimova, Rositsa (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Jacobsson, Henrik (författare)
- Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan
- visa fler...
- visa färre...
- (creator_code:org_t)
- 2000
- 2000
- Engelska.
- Ingår i: <em>Proc. III Intern. Seminar on SiC and Related Materials</em>. ; , s. 83-88
- Konferensbidrag (refereegranskat)
Ämnesord
Stäng
Nyckelord
- NATURAL SCIENCES
- NATURVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
Till lärosätets databas
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Syväjärvi, Mikae ...
- Yakimova, Rosits ...
- Jacobsson, Henri ...
- Janzén, Erik
- Artiklar i publikationen
- <em>Proc. III In ...
- Av lärosätet
- Linköpings universitet
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
