Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-91342" >
Investigation on or...
Investigation on origin of Z(1/2) center in SiC by deep level transient spectroscopy and electron paramagnetic resonance
-
- Kawahara, Koutarou (författare)
- Kyoto University, Japan
-
- Thang Trinh, Xuan (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Son Tien, Nguyen (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
visa fler...
-
- Janzén, Erik (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Suda, Jun (författare)
- Kyoto University, Japan
-
- Kimoto, Tsunenobu (författare)
- Kyoto University, Japan
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- American Institute of Physics (AIP), 2013
- 2013
- Engelska.
-
Ingår i: Applied Physics Letters. - : American Institute of Physics (AIP). - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 102:11
- Relaterad länk:
-
https://repository.k...
-
visa fler...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The Z(1/2) center in n-type 4H-SiC epilayers-a dominant deep level limiting the carrier lifetime-has been investigated. Using capacitance versus voltage (C-V) measurements and deep level transient spectroscopy (DLTS), we show that the Z(1/2) center is responsible for the carrier compensation in n-type 4H-SiC epilayers irradiated by low-energy (250 keV) electrons. The concentration of the Z(1/2) defect obtained by C-V and DLTS correlates well with that of the carbon vacancy (V-C) determined by electron paramagnetic resonance, suggesting that the Z(1/2) deep level originates from V-C.
Nyckelord
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas