Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:ltu-4003" >
E center in silicon...
E center in silicon has a donor level in the band gap
-
- Larsen, A. Nylandsted (författare)
- Institute of Physics and Astronomy, University of Aarhus
-
- Mesli, A. (författare)
- Institut d'Electronique du Solide et des Systèmes, CNRS/ULP, Strasbourg
-
- Nielsen, K. Bonde (författare)
- Institute of Physics and Astronomy, University of Aarhus
-
visa fler...
-
- Nielsen, H. Kortegaard (författare)
- Institute of Physics and Astronomy, University of Aarhus
-
- Dobaczewski, L. (författare)
- Institute of Physics, Polish Academy of Sciences
-
- Adey, J. (författare)
- School of Physics, University of Exeter
-
- Jones, R. (författare)
- School of Physics, University of Exeter
-
- Palmer, D.W. (författare)
- School of Physics, University of Exeter
-
- Briddon, P.R. (författare)
- School of Natural Science, University of Newcastle upon Tyne
-
- Öberg, Sven (författare)
- Luleå tekniska universitet,Matematiska vetenskaper
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2006
- 2006
- Engelska.
-
Ingår i: Physical Review Letters. - 0031-9007 .- 1079-7114. ; 97:10, s. 106402/1-106402/4
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- It has been an accepted fact for more than 40 years that the E center in Si (the group-V impurity-vacancy pair)-one of the most studied defects in semiconductors-has only one energy level in the band gap: namely, the acceptor level at about 0.45 eV below the conduction band. We now demonstrate that it has a second level, situated in the lower half of the band gap at 0.27 eV above the valence band. The existence of this level, having a donor character, is disclosed by a combination of different transient-capacitance techniques and electronic-structure calculations. The finding seriously questions some diffusion-modeling approaches performed in the past.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Matematik -- Beräkningsmatematik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Mathematics -- Computational Mathematics (hsv//eng)
Nyckelord
- Scientific Computing
- Teknisk-vetenskapliga beräkningar
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Larsen, A. Nylan ...
-
Mesli, A.
-
Nielsen, K. Bond ...
-
Nielsen, H. Kort ...
-
Dobaczewski, L.
-
Adey, J.
-
visa fler...
-
Jones, R.
-
Palmer, D.W.
-
Briddon, P.R.
-
Öberg, Sven
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Matematik
-
och Beräkningsmatema ...
- Artiklar i publikationen
-
Physical Review ...
- Av lärosätet
-
Luleå tekniska universitet