Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:miun-41547" >
Vertical Sandwich G...
Vertical Sandwich Gate-All-Around Field-Effect Transistors with Self-Aligned High-k Metal Gates and Small Effective-Gate-Length Variation
-
Yin, X. (författare)
-
Yang, H. (författare)
-
Xie, L. (författare)
-
visa fler...
-
Ai, X. Z. (författare)
-
Zhang, Y. B. (författare)
-
Jia, K. P. (författare)
-
Wu, Z. H. (författare)
-
Ma, X. L. (författare)
-
Zhang, Q. Z. (författare)
-
Mao, S. J. (författare)
-
Xiang, J. J. (författare)
-
Zhang, Y. (författare)
-
Gao, J. F. (författare)
-
He, X. B. (författare)
-
Bai, G. B. (författare)
-
Lu, Y. H. (författare)
-
Zhou, N. (författare)
-
Kong, Z. Z. (författare)
-
Zhao, J. (författare)
-
Ma, S. S. (författare)
-
Xuan, Z. H. (författare)
-
Zhu, H. (författare)
-
Li, Y. Y. (författare)
-
Li, L. (författare)
-
Zhang, Q. H. (författare)
-
Han, J. H. (författare)
-
Chen, R. L. (författare)
-
Qu, Y. (författare)
-
Yang, T. (författare)
-
Luo, J. (författare)
-
Li, J. F. (författare)
-
Yin, H. X. (författare)
-
Wang, G. L. (författare)
-
Radamson, Henry H. (författare)
-
Zhao, C. (författare)
-
Wang, W. W. (författare)
-
Ye, T. C. (författare)
-
Li, J. J. (författare)
-
Du, A. Y. (författare)
-
Li, C. (författare)
-
Zhao, L. H. (författare)
-
Huang, W. X. (författare)
-
visa färre...
- Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. 2020
- 2020
- Engelska.
-
Ingår i: IEEE Electron Device Letters. - : Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.. - 0741-3106 .- 1558-0563. ; 41:1, s. 8-11
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- A new type of vertical nanowire (NW)/nanosheet (NS) field-effect transistors (FETs), termed vertical sandwich gate-all-around (GAA) FETs (VSAFETs), is presented in this work. Moreover, an integration flow that is compatible with processes used in the mainstream industry is proposed for the VSAFETs. Si/SiGe epitaxy, isotropic quasi-atomic-layer etching (qALE), and gate replacement were used to fabricate pVSAFETs for the first time. Vertical GAA FETs with self-aligned high-k metal gates and a small effective-gate-length variation were obtained. Isotropic qALE, including Si-selective etching of SiGe, was developed to control the diameter/thickness of the NW/NS channels. NWs with a diameter of 10 nm and NSs with a thickness of 20 nm were successfully fabricated, and good device characteristics were obtained. Finally, the device performance was investigated and is discussed in this work. © 2019 IEEE.
Nyckelord
- atomic layer etching (ALE)
- gate-all-around (GAA)
- Si cap
- SiGe channel
- Vertical nanowire
- Etching
- Gates (transistor)
- Nanowires
- Atomic layer etching
- Device characteristics
- Effective gate length
- Field effect transistor (FETs)
- Gate-all-around
- HIGH-K metal gates
- SiGe channels
- Vertical nanowires
- Si-Ge alloys
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Yin, X.
-
Yang, H.
-
Xie, L.
-
Ai, X. Z.
-
Zhang, Y. B.
-
Jia, K. P.
-
visa fler...
-
Wu, Z. H.
-
Ma, X. L.
-
Zhang, Q. Z.
-
Mao, S. J.
-
Xiang, J. J.
-
Zhang, Y.
-
Gao, J. F.
-
He, X. B.
-
Bai, G. B.
-
Lu, Y. H.
-
Zhou, N.
-
Kong, Z. Z.
-
Zhao, J.
-
Ma, S. S.
-
Xuan, Z. H.
-
Zhu, H.
-
Li, Y. Y.
-
Li, L.
-
Zhang, Q. H.
-
Han, J. H.
-
Chen, R. L.
-
Qu, Y.
-
Yang, T.
-
Luo, J.
-
Li, J. F.
-
Yin, H. X.
-
Wang, G. L.
-
Radamson, Henry ...
-
Zhao, C.
-
Wang, W. W.
-
Ye, T. C.
-
Li, J. J.
-
Du, A. Y.
-
Li, C.
-
Zhao, L. H.
-
Huang, W. X.
-
visa färre...
- Artiklar i publikationen
-
IEEE Electron De ...
- Av lärosätet
-
Mittuniversitetet