Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:uu-110868" >
Oxide-Free Silicon ...
Oxide-Free Silicon to Silicon Carbide Heterobond
-
- Li, Ling-Guang (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
-
- Vallin, Örjan (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
-
- Lu, Jun (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
-
visa fler...
-
- Smith, Ulf (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
-
- Norström, Hans (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
-
- Olsson, Jörgen, 1966- (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- The Electrochemical Society, 2008
- 2008
- Engelska.
-
Ingår i: ESC Transactions. - : The Electrochemical Society. - 1938-6737 .- 1938-5862. ; 16:8, s. 377-383
- Relaterad länk:
-
http://link.aip.org/...
-
visa fler...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Thin crystalline device layersof Si were bonded to Si-faced SiC wafers, with eithera chemical or a thermal oxide interface layer. The interfacethermal oxide was successfully removed by oxygen out-diffusion for 2.5h in an Ar atmosphere at 1250 oC. XTEM micrographsshowed that an abrupt transition between Si and SiC withcomplete removal of the interlayer oxide had been obtained. Stressgenerated during the cool-down process after oxygen out-diffusion was shownto be compressive. IR imaging and an optical microscopy verifiedthat no cracks occurred during cool-down.
Nyckelord
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas