SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

id:"swepub:oai:DiVA.org:uu-154110"
 

Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:uu-154110" > Epitaxy of Ultrathi...

Epitaxy of Ultrathin NiSi2 Films with Predetermined Thickness

Gao, Xindong (författare)
Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik,Solid-State Electronics, The Ångström Laboratory, Uppsala University, Uppsala
Andersson, Joakim (författare)
Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik,Thin Films Group,Solid-State Electronics, The Ångström Laboratory, Uppsala University, Uppsala
Kubart, Tomas (författare)
Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik,Thin Films Group,Solid-State Electronics, The Ångström Laboratory, Uppsala University, Uppsala
visa fler...
Nyberg, Tomas (författare)
Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik,Thin Films Group,Solid-State Electronics, The Ångström Laboratory, Uppsala University, Uppsala
Smith, Ulf (författare)
Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik,Solid-State Electronics, The Ångström Laboratory, Uppsala University, Uppsala
Lu, Jun (författare)
Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
Hultman, Lars (författare)
Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
Kellock, Andrew J (författare)
IBM Almaden Research Center, San Jose, CA, USA,IBM Almaden Research Center, San Jose, California, USA
Zhang, Zhen (författare)
IBM T.J. Watson Research Center, Yorktown Heights, New York , USA
Lavoie, Christian (författare)
IBM T.J. Watson Research Center, Yorktown Heights, New York , USA
Zhang, Shi-Li (författare)
Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik,Solid-State Electronics, The Ångström Laboratory, Uppsala University, Uppsala
visa färre...
 (creator_code:org_t)
The Electrochemical Society, 2011
2011
Engelska.
Ingår i: Electrochemical and solid-state letters. - : The Electrochemical Society. - 1099-0062 .- 1944-8775. ; 14:7, s. H268-H270
Relaterad länk:
https://urn.kb.se/re...
visa fler...
https://doi.org/10.1...
https://urn.kb.se/re...
visa färre...
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • This letter presents a proof-of-concept process for tunable, self-limiting growth of ultrathin epitaxial NiSi2 films on Si (100). The process starts with metal sputter-deposition, followed by wet etching and then silicidation. By ionizing a fraction of the sputtered Ni atoms and biasing the Si substrate, the amount of Ni atoms incorporated in the substrate after wet etching can be controlled. As a result, the thickness of the NiSi2 films is increased from 4.7 to 7.2 nm by changing the nominal substrate bias from 0 to 600 V. The NiSi2 films are characterized by a specific resistivity around 50 mu Omega cm.

Nyckelord

TECHNOLOGY
TEKNIKVETENSKAP
Engineering Science with specialization in Electronics
Teknisk fysik med inriktning mot elektronik

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy