Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:uu-208251" >
Novel Zn-Doped Al2O...
Novel Zn-Doped Al2O3 Charge Storage Medium for Light-Erasable In-Ga-Zn-O TFT Memory
-
- Chen, S. (författare)
- Fudan Univeristy
-
- Cui, X-M (författare)
- Fudan University
-
- Ding, S-J (författare)
- Fudan University
-
visa fler...
-
- Sun, Q-Q (författare)
- Fudan University
-
- Nyberg, Tomas (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
-
- Zhang, Shi-Li (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
-
- Zhang, W (författare)
- Fudan University
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2013
- 2013
- Engelska.
-
Ingår i: IEEE Electron Device Letters. - 0741-3106 .- 1558-0563. ; 34:8, s. 1008-1010
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- A novel Zn-doped Al2O3 (ZAO) layer prepared by atomic layer deposition (ALD) is used as the charge storage medium in an In-Ga-Zn-O thin-film-transistor memory. The gate insulating stack of Al2O3/ZAO/Al2O3 is assembled in a single ALD step, and is found to possess a high electron storage capacity due to very deep defect levels. The memory device shows a threshold voltage shift as large as 6.38 V after a +15V/1 ms programming pulse, and quite good charge retention. Once programmed, the memory can be only light erased. The underlying mechanisms are discussed with the assistance of density functional theory calculations.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- Engineering Science with specialization in Electronics
- Teknisk fysik med inriktning mot elektronik
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas