Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:uu-209603" >
A +32.8 dBm LDMOS p...
A +32.8 dBm LDMOS power amplifier for WLAN in 65 nm CMOS technology
-
- Johansson, Ted (författare)
- Linköping University,Electronic Devices
-
- Bengtsson, Olof (författare)
- Ferdinand-Braun Institut,Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik
-
- Lotfi, Sara (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
-
visa fler...
-
- Vestling, Lars (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
-
- Norström, Hans (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
-
- Olsson, Jörgen (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
-
- Nyström, Christian (författare)
- Samsung Nanoradio Design Center AB
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2013
- 2013
- Engelska.
-
Ingår i: 2013 8th European Microwave Integrated Circuits Conference Proceedings. - 9782874870323 ; , s. 53-56
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Generating high output power at radio frequencies in CMOS becomes more challenging as technology is scaled. Limitations mainly come from device design. We demonstrate the feasibility of an 10 V LDMOS device fabricated in 65 nm foundry CMOS technology with no added process steps or mask. DC, RF, and power characterization are presented which show the feasibility of the device. The LDMOS device is used in an integrated WLAN-PA design and 32.8 dBm linear output power in the 2.45 GHz band is achieved. Load-pull data also shows high output power capability at 5.8 GHz. The concept can also be used at 45 nm and 28 nm nodes in most foundry CMOS processes.
Nyckelord
- Engineering Science with specialization in Electronics
- Teknisk fysik med inriktning mot elektronik
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas