SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

id:"swepub:oai:DiVA.org:uu-235838"
 

Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:uu-235838" > Optimizing Ga-profi...

Optimizing Ga-profiles for highly efficient Cu(In,Ga)Se2 thin film solar cells in simple and complex defect models

Frisk, Christopher, 1985- (författare)
Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik,Ångström Solar Center
Platzer Björkman, Charlotte (författare)
Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
Olsson, Jörgen (författare)
Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
visa fler...
Szaniawski, Piotr (författare)
Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
Wätjen, Timo (författare)
Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
Fjällström, Viktor (författare)
Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
Salome, P. (författare)
Edoff, Marika (författare)
Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
visa färre...
 (creator_code:org_t)
2014-11-13
2014
Engelska.
Ingår i: Journal of Physics D. - : IOP Publishing. - 0022-3727 .- 1361-6463. ; 47:48, s. 485104-
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • Highly efficient Cu(In,Ga)(S,Se)2 photovoltaic thin film solar cells often have a compositional variation of Ga to In in the absorber layer, here described as a Ga-profile. In this work we have studied the role of Ga-profiles in four different models, based on input data from electrical and optical characterizations of an in-house state-of-the-art Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) solar cell with power conversion efficiency above 19 %. A simple defect model with mid-gap defects in the absorber layer was compared with models with Ga-dependent defect concentrations and amphoteric defects. In these models optimized single-graded Ga-profiles have been compared with optimized double-graded Ga-profiles. It was found that the defect concentration for effective Shockley-Read-Hall recombination is low for high efficiency CIGS devices and that the doping concentration of the absorber layer, chosen according to the defect model, is paramount when optimizing Ga-profiles. For optimized single-graded Ga-profiles the simulated power conversion efficiency, depending on the model, is 20.5-20.8 %, and the equivalent double-graded Ga-profiles yield 20.6-21.4 %, indicating that the bandgap engineering of the CIGS device structure can lead to improvements in efficiency. Apart from the effects of increased doping in the complex defect models, the results are similar when comparing the complex defect models to the simple defect models. 

Ämnesord

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER  -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY  -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)

Nyckelord

Solar cell
CIGS
modelling
simulation
optimizing
Ga-profile
Engineering Science with specialization in Electronics
Teknisk fysik med inriktning mot elektronik

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy