SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

id:"swepub:oai:DiVA.org:uu-335852"
 

Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:uu-335852" > Atomic Layer Deposi...

Atomic Layer Deposition of Electron Selective SnOx and ZnO Films on Mixed Halide Perovskite : Compatibility and Performance

Hultqvist, Adam (författare)
Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
Aitola, Kerttu (författare)
Uppsala universitet,Fysikalisk kemi
Sveinbjörnsson, Kári (författare)
Uppsala universitet,Fysikalisk kemi
visa fler...
Saki, Zahra (författare)
Uppsala universitet,Fysikalisk kemi,Sharif Univ Technol, Tehran, Iran
Larsson, Fredrik (författare)
Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
Törndahl, Tobias, 1974- (författare)
Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
Johansson, Erik (författare)
Uppsala universitet,Fysikalisk kemi
Boschloo, Gerrit (författare)
Uppsala universitet,Fysikalisk kemi
Edoff, Marika, 1965- (författare)
Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
visa färre...
 (creator_code:org_t)
2017-08-24
2017
Engelska.
Ingår i: ACS Applied Materials and Interfaces. - : American Chemical Society (ACS). - 1944-8244 .- 1944-8252. ; 9:35, s. 29707-29716
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • The compatibility of atomic layer deposition directly onto the mixed halide perovskite formamidinium lead iodide:methylammonium lead bromide (CH(NH2)(2), CH3NH3)Pb(I,Br)(3) (FAPbI(3):MAPbBr(3)) perovskite films is investigated by exposing the perovskite films to the full or partial atomic layer deposition processes for the electron selective layer candidates ZnO and SnOx. Exposing the samples to the heat, the vacuum, and even the counter reactant of H2O of the atomic layer deposition processes does not appear to alter the perovskite films in terms of crystallinity, but the choice of metal precursor is found to be critical. The Zn precursor Zn(C2H5)(2) either by itself or in combination with H2O during the ZnO atomic layer deposition (ALD) process is found to enhance the decomposition of the bulk of the perovskite film into PbI2 without even forming ZnO. In contrast, the Sn precursor Sn(N(CH3)(2))(4) does not seem to degrade the bulk of the perovskite film, and conformal SnOx films can successfully be grown on top of it using atomic layer deposition. Using this SnOx film as the electron selective layer in inverted perovskite solar cells results in a lower power conversion efficiency of 3.4% than the 8.4% for the reference devices using phenyl-C-70-butyric acid methyl ester. However, the devices with SnOx show strong hysteresis and can be pushed to an efficiency of 7.8% after biasing treatments. Still, these cells lacks both open circuit voltage and fill factor compared to the references, especially when thicker SnOx films are used. Upon further investigation, a possible cause of these losses could be that the perovskite/SnOx interface is not ideal and more specifically found to be rich in Sn, O, and halides, which is probably a result of the nucleation during the SnOx growth and which might introduce barriers or alter the band alignment for the transport of charge carriers.

Ämnesord

NATURVETENSKAP  -- Kemi -- Materialkemi (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Chemical Sciences -- Materials Chemistry (hsv//eng)

Nyckelord

perovskite solar cell
atomic layer deposition
interfaces
electron selective layers
precursor chemistry

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy