Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:uu-364155" >
Current gain and lo...
Current gain and low-frequency noise of symmetric lateral bipolar junction transistors on SOI
-
- Hu, Qitao (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
-
- Chen, Xi (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
-
- Norström, Hans (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
-
visa fler...
-
- Zeng, Shuangshuang (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
-
- Liu, Yifei (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
-
- Fredrik, Gustavsson (författare)
- Swerea KIMAB, Stockholm, Sweden
-
- Zhang, Shi-Li (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
-
- Chen, Si, 1982- (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
-
- Zhang, Zhen, 1979- (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2018
- 2018
- Engelska.
-
Ingår i: 2018 48th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC). - 9781538654019 - 9781538654002 - 9781538654026 ; , s. 258-261
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- This paper presents a comprehensive study of symmetric lateral bipolar junction transistors (LBJTs) fabricated on SOI substrate using a CMOS-compatible process; LBJTs find many applications including being a local signal amplifier for silicon-nanowire sensors. Our LBJTs are characterized by a peak gain (β) over 50 and low-frequency noise two orders of magnitude lower than what typically is of the SiO 2 /Si interface for a MOSFET. β is found to decrease at low base current due to recombination in the space charge region at the emitter-base junction and at the surrounding SiO 2 /Si interfaces. This decrease can be mitigated by properly biasing the substrate.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- symmetric lateral bipolar junction transitor
- current amplification
- low frequency noise
- silicon nanowire field-effect transitor
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Hu, Qitao
-
Chen, Xi
-
Norström, Hans
-
Zeng, Shuangshua ...
-
Liu, Yifei
-
Fredrik, Gustavs ...
-
visa fler...
-
Zhang, Shi-Li
-
Chen, Si, 1982-
-
Zhang, Zhen, 197 ...
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Elektroteknik oc ...
-
och Annan elektrotek ...
- Artiklar i publikationen
-
2018 48th Europe ...
- Av lärosätet
-
Uppsala universitet