SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

id:"swepub:oai:DiVA.org:uu-36698"
 

Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:uu-36698" > Neutron induced sin...

Neutron induced single-word multiple-bit upset in SRAM

Johansson, K (författare)
Uppsala universitet,Institutionen för neutronforskning
Ohlsson, M (författare)
Uppsala universitet,The Svedberg-laboratoriet
Olsson, N (författare)
visa fler...
Blomgren, J (författare)
Renberg, PU (författare)
visa färre...
 (creator_code:org_t)
IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 1999
1999
Engelska.
Ingår i: IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE. - : IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC. - 0018-9499. ; 46:6, s. 1427-1433
  • Tidskriftsartikel (övrigt vetenskapligt/konstnärligt)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • The Single-word Multiple-bit Upset (SMU) frequency fbr nine commercial Static Random Access Memories (SRAM) have been evaluated at eight different neutron energies; 0; 11MeV, 14MeV, 22MeV, 35MeV, 45MeV, 75MeV, 96MeV, 160MeV. The SRAM types used at these e

Nyckelord

EVENT UPSETS; GROUND-LEVEL; STATIC RAMS; FLIGHT

Publikations- och innehållstyp

vet (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Hitta mer i SwePub

Av författaren/redakt...
Johansson, K
Ohlsson, M
Olsson, N
Blomgren, J
Renberg, PU
Artiklar i publikationen
IEEE TRANSACTION ...
Av lärosätet
Uppsala universitet

Sök utanför SwePub

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy