Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:uu-36698" >
Neutron induced sin...
Neutron induced single-word multiple-bit upset in SRAM
-
- Johansson, K (författare)
- Uppsala universitet,Institutionen för neutronforskning
-
- Ohlsson, M (författare)
- Uppsala universitet,The Svedberg-laboratoriet
-
Olsson, N (författare)
-
visa fler...
-
Blomgren, J (författare)
-
Renberg, PU (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 1999
- 1999
- Engelska.
-
Ingår i: IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE. - : IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC. - 0018-9499. ; 46:6, s. 1427-1433
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The Single-word Multiple-bit Upset (SMU) frequency fbr nine commercial Static Random Access Memories (SRAM) have been evaluated at eight different neutron energies; 0; 11MeV, 14MeV, 22MeV, 35MeV, 45MeV, 75MeV, 96MeV, 160MeV. The SRAM types used at these e
Nyckelord
- EVENT UPSETS; GROUND-LEVEL; STATIC RAMS; FLIGHT
Publikations- och innehållstyp
- vet (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas