Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:uu-37328" >
Sputtering transien...
Sputtering transients for some transition elements during high-fluence MEVVA implantation of Si
-
- Zhang, YW (författare)
- Uppsala universitet,Institutionen för materialvetenskap,IONPHYSICS
-
Zhang, TH (författare)
-
Xiao, ZS (författare)
-
visa fler...
-
Whitlow, HJ (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- ELSEVIER SCIENCE BV, 2001
- 2001
- Engelska.
-
Ingår i: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS. - : ELSEVIER SCIENCE BV. - 0168-583X. ; 173:4, s. 427-435
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The approach to quasi equilibrium sputtering of transition elements Co, Er. V and Ni during high-fluence implantation of Si(1 1 1) using a metal vapour vacuum are (MEVVA) source has been studied by time of flight-energy elastic recoil detection analysis (
Nyckelord
- sputtering transients; transition elements; silicide; MEVVA; ToF-E ERDA; RECOIL SPECTROMETRY; CO IMPLANTATION; ION-SOURCE; MULTICOMPONENT MATERIALS; SURFACE MODIFICATION; SIO2/SI; EFFICIENCY; FILMS; MASS
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas