Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:uu-37514" >
Properties of GaMnA...
Properties of GaMnAs layers grown by migration enhanced epitaxy at very low substrate temperatures
-
- Sadowski, J (författare)
- Uppsala universitet,Institutionen för materialvetenskap,SOLID STATE PHYSICS
-
Mathieu, R (författare)
-
Svedlindh, P (författare)
-
visa fler...
-
Karlsteen, M (författare)
-
Kanski, J (författare)
-
Ilver, L (författare)
-
Asklund, H (författare)
-
Swiatek, K (författare)
-
Domagala, JZ (författare)
-
Bak-Misiuk, J (författare)
-
Maude, D (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- ELSEVIER SCIENCE BV, 2001
- 2001
- Engelska.
-
Ingår i: PHYSICA E. - : ELSEVIER SCIENCE BV. - 1386-9477. ; 10:1-3, s. 181-185
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We report on the successful growth of GaMnAs layers by means of migration enhanced epitaxy (MEE) at very low substrate temperatures (below 150 degreesC). The MEE growth proceeds under stoichiometric conditions. This should lead to a lower concentration of
Nyckelord
- ferromagnetic semiconductors; migration enhanced epitaxy; molecular beam epitaxy; DILUTED MAGNETIC SEMICONDUCTORS; MOLECULAR-BEAM EPITAXY; FERROMAGNETISM; (GA;MN)AS; GAAS
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Sadowski, J
-
Mathieu, R
-
Svedlindh, P
-
Karlsteen, M
-
Kanski, J
-
Ilver, L
-
visa fler...
-
Asklund, H
-
Swiatek, K
-
Domagala, JZ
-
Bak-Misiuk, J
-
Maude, D
-
visa färre...
- Artiklar i publikationen
-
PHYSICA E
- Av lärosätet
-
Uppsala universitet