id:"swepub:oai:DiVA.org:uu-45752"
Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:uu-45752" > HfO2 gate dielectri...
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
HfO2 gate dielectrics on strained-Si and strained-Si Ge layers.
- Johansson, M (författare)
- Yousif, M. Y. A (författare)
- Lundgren, P (författare)
- visa fler...
- Bengtsson, S (författare)
- Radamson, H.H (författare)
- visa färre...
- (creator_code:org_t)
- 2003
- 2003
- Engelska.
- Ingår i: Semicond Sci. Technol.. ; :18, s. 820-826
- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Ämnesord
Stäng
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Kemi -- Oorganisk kemi (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Chemical Sciences -- Inorganic Chemistry (hsv//eng)
Nyckelord
- Inorganic chemistry
- Oorganisk kemi
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Johansson, M
- Yousif, M. Y. A
- Lundgren, P
- Bengtsson, S
- Sundqvist, Jonas
- Hårsta, Anders
- visa fler...
- Radamson, H.H
- visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
- NATURVETENSKAP
- och Kemi
- och Oorganisk kemi
- Artiklar i publikationen
- Semicond Sci. Te ...
- Av lärosätet
- Uppsala universitet
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
