Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:uu-74014" >
Electronic structur...
Electronic structure of GaN measured using soft-x-ray emission and absorption
-
- Stagarescu, CB (författare)
- Uppsala universitet
-
- Duda, LC (författare)
- Uppsala universitet
-
- Smith, KE (författare)
- Uppsala universitet
-
visa fler...
-
- Guo, JH (författare)
- Uppsala universitet
-
- Nordgren, J (författare)
- Uppsala universitet
-
- Singh, R (författare)
- Uppsala universitet
-
- Moustakas, TD (författare)
- Uppsala universitet
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- AMER INST PHYSICS, 1996
- 1996
- Engelska.
-
Ingår i: PHYSICAL REVIEW B-CONDENSED MATTER. - : AMER INST PHYSICS. - 0163-1829. ; 54:24, s. 17335-17338
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The electronic structure of thin-film wurtzite GaN has been studied using a combination of soft-x-ray absorption and emission spectroscopies. We have measured the elementally and orbitally resolved GaN valence and conduction bands by recording Ga L and N
Nyckelord
- PHOTOEMISSION SPECTROSCOPY; VALENCE-BAND; FLUORESCENCE; GRAPHITE; SPECTRA; GROWTH; FILMS
Publikations- och innehållstyp
- vet (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas