Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:uu-74089" >
Defect evolution in...
Defect evolution in MeV ion-implanted silicon
-
- Lalita, J (författare)
- Uppsala universitet
-
- Keskitalo, N (författare)
- Uppsala universitet
-
- Hallen, A (författare)
- Uppsala universitet
-
visa fler...
-
- Jagadish, C (författare)
- Uppsala universitet
-
- Svensson, BG (författare)
- Uppsala universitet
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- ELSEVIER SCIENCE BV, 1996
- 1996
- Engelska.
-
Ingår i: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS. - : ELSEVIER SCIENCE BV. - 0168-583X. ; 120:1-4, s. 27-32
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Lightly doped silicon samples of both n- and p-type, have been implanted with low doses of H, B and Si ions using energies between 1 and 6 MeV. The resulting electrically active point defects were characterized by deep level transient spectroscopy (DLTS)
Nyckelord
- LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY; INTERSTITIAL CARBON; CRYSTALLINE SILICON; IRRADIATED SILICON; ELECTRON TRAPS; OXYGEN COMPLEX; POINT-DEFECTS; DOPED SILICON; DIFFUSION; SI
Publikations- och innehållstyp
- vet (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas