id:"swepub:oai:DiVA.org:uu-94805"
Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:uu-94805" > Comparative Study O...
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Comparative Study On The Impact Of TiN and Mo Metal Gates ON MOCVD-Grown HfO2 and ZrO2 High-k Dielectrics For CMOS Technology
- Abermann, Stephan (författare)
-
- Sjöblom, Gustaf (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
- Efavi, Johnson (författare)
- visa fler...
- Lemme, Max (författare)
- Bertagnolli, Emmerich (författare)
- visa färre...
- (creator_code:org_t)
- 2006
- 2006
- Engelska.
- Ingår i: Proceedings of 28th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS).
- Konferensbidrag (refereegranskat)
Till lärosätets databas
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Abermann, Stepha ...
- Sjöblom, Gustaf
- Efavi, Johnson
- Lemme, Max
- Olsson, Jörgen, ...
- Bertagnolli, Emm ...
- Artiklar i publikationen
- Proceedings of 2 ...
- Av lärosätet
- Uppsala universitet
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
