SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

id:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:2f2e61e4-0691-4ad8-8d03-8692bd35be05"
 

Sökning: id:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:2f2e61e4-0691-4ad8-8d03-8692bd35be05" > Three-Dimensional I...

Three-Dimensional Integration of InAs Nanowires by Template-Assisted Selective Epitaxy on Tungsten

Svensson, Johannes (författare)
Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,LTH profilområde: AI och digitalisering,LTH profilområden,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Nano Electronics,Lund University Research Groups,LTH Profile Area: AI and Digitalization,LTH Profile areas,Faculty of Engineering, LTH
Olausson, Patrik (författare)
Lund University,Lunds universitet,NanoLund: Centre for Nanoscience,Annan verksamhet, LTH,Lunds Tekniska Högskola,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,LTH profilområde: Nanovetenskap och halvledarteknologi,LTH profilområden,LTH profilområde: AI och digitalisering,LU profilområde: Ljus och material,Lunds universitets profilområden,Other operations, LTH,Faculty of Engineering, LTH,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Nano Electronics,Lund University Research Groups,LTH Profile Area: Nanoscience and Semiconductor Technology,LTH Profile areas,Faculty of Engineering, LTH,LTH Profile Area: AI and Digitalization,Faculty of Engineering, LTH,LU Profile Area: Light and Materials,Lund University Profile areas
Menon, Heera (författare)
Lund University,Lunds universitet,NanoLund: Centre for Nanoscience,Annan verksamhet, LTH,Lunds Tekniska Högskola,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,LTH profilområde: Nanovetenskap och halvledarteknologi,LTH profilområden,LTH profilområde: AI och digitalisering,LU profilområde: Ljus och material,Lunds universitets profilområden,Other operations, LTH,Faculty of Engineering, LTH,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Nano Electronics,Lund University Research Groups,LTH Profile Area: Nanoscience and Semiconductor Technology,LTH Profile areas,Faculty of Engineering, LTH,LTH Profile Area: AI and Digitalization,Faculty of Engineering, LTH,LU Profile Area: Light and Materials,Lund University Profile areas
visa fler...
Lehmann, Sebastian (författare)
Lund University,Lunds universitet,NanoLund: Centre for Nanoscience,Annan verksamhet, LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,LTH profilområde: Nanovetenskap och halvledarteknologi,LTH profilområden,LU profilområde: Ljus och material,Lunds universitets profilområden,Other operations, LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,LTH Profile Area: Nanoscience and Semiconductor Technology,LTH Profile areas,Faculty of Engineering, LTH,LU Profile Area: Light and Materials,Lund University Profile areas
Lind, Erik (författare)
Lund University,Lunds universitet,NanoLund: Centre for Nanoscience,Annan verksamhet, LTH,Lunds Tekniska Högskola,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,LTH profilområde: Nanovetenskap och halvledarteknologi,LTH profilområden,LTH profilområde: AI och digitalisering,LU profilområde: Ljus och material,Lunds universitets profilområden,Other operations, LTH,Faculty of Engineering, LTH,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Nano Electronics,Lund University Research Groups,LTH Profile Area: Nanoscience and Semiconductor Technology,LTH Profile areas,Faculty of Engineering, LTH,LTH Profile Area: AI and Digitalization,Faculty of Engineering, LTH,LU Profile Area: Light and Materials,Lund University Profile areas
Borg, Mattias (författare)
Lund University,Lunds universitet,NanoLund: Centre for Nanoscience,Annan verksamhet, LTH,Lunds Tekniska Högskola,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,LTH profilområde: Nanovetenskap och halvledarteknologi,LTH profilområden,LU profilområde: Ljus och material,Lunds universitets profilområden,Other operations, LTH,Faculty of Engineering, LTH,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Nano Electronics,Lund University Research Groups,LTH Profile Area: Nanoscience and Semiconductor Technology,LTH Profile areas,Faculty of Engineering, LTH,LU Profile Area: Light and Materials,Lund University Profile areas
visa färre...
 (creator_code:org_t)
2023
2023
Engelska 6 s.
Ingår i: Nano Letters. - 1530-6984. ; 23:11, s. 4756-4761
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • 3D integration of III-V semiconductors with Si CMOS is highly attractive since it allows combining new functions such as photonic and analog devices with digital signal processing circuitry. Thus far, most 3D integration approaches have used epitaxial growth on Si, layer transfer by wafer bonding, or die-to-die packaging. Here we present low-temperature integration of InAs on W using Si3N4 template assisted selective area metal-organic vapor-phase epitaxy (MOVPE). Despite growth nucleation on polycrystalline W, we can obtain a high yield of single-crystalline InAs nanowires, as observed by transmission electron microscopy (TEM) and electron backscatter diffraction (EBSD). The nanowires exhibit a mobility of 690 cm2/(V s), a low-resistive, Ohmic electrical contact to the W film, and a resistivity which increases with diameter attributed to increased grain boundary scattering. These results demonstrate the feasibility for single-crystalline III-V back-end-of-line integration with a low thermal budget compatible with Si CMOS.

Ämnesord

NATURVETENSKAP  -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)

Nyckelord

III-V semiconductors
InAs
metal-organic vapor-phase epitaxy
nanowires
selective area epitaxy
Si CMOS integration

Publikations- och innehållstyp

art (ämneskategori)
ref (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Sök utanför SwePub

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy