id:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:35883913-cb7d-45f2-bd0c-a9fbc8aba56d"
Sökning: id:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:35883913-cb7d-45f2-bd0c-a9fbc8aba56d" > Improved subthresho...
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Improved subthreshold slope in an InAs nanowire heterostructure field-effect transistor
-
- Lind, Erik (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Faculty of Engineering, LTH
-
- Persson, Ann (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
- Samuelson, Lars (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
- visa fler...
- visa färre...
- (creator_code:org_t)
- 2006-08-16
- 2006
- Engelska.
- Ingår i: Nano Letters. - : American Chemical Society (ACS). - 1530-6992 .- 1530-6984. ; 6:9, s. 1842-1846
- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract
Ämnesord
Stäng
- An n-type InAs/InAsP heterostructure nanowire field-effect transistor has been fabricated and compared with a homogeneous InAs field-effect transistor. For the same device geometry, by introduction of the heterostructure, the threshold voltage is shifted 4 V, the maximum current on-off ratio is enhanced by a factor of 10 000, and the subthreshold swing is lowered by a factor 4 compared to the homogeneous transistor. At the same time, the drive current remains constant for a fixed gate overdrive. A single nanowire heterostructure transistor has a transconductance of 5 mu A/V at a low source-drain voltage of 0.3 V. For the homogeneous InAs transistor, we deduced a high electron mobility of 1500 cm(2)/Vs.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Nanoteknik -- Nanoteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Nano-technology -- Nano-technology (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Lind, Erik
- Persson, Ann
- Samuelson, Lars
- Wernersson, Lars ...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
- TEKNIK OCH TEKNO ...
- och Nanoteknik
- och Nanoteknik
- Artiklar i publikationen
- Nano Letters
- Av lärosätet
- Lunds universitet
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
