Sökning: id:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:41515423-72d0-4fae-8d91-47359d325c0f" >
Electronic properti...
Electronic properties of vacancy-oxygen complex in Ge crystals
-
Markevich, VP (författare)
-
Hawkins, ID (författare)
-
Peaker, AR (författare)
-
visa fler...
-
Litvinov, VV (författare)
-
Murin, LI (författare)
-
Dobaczewski, L (författare)
-
- Lindström, Lennart (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- AIP Publishing, 2002
- 2002
- Engelska.
-
Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 81:10, s. 1821-1823
- Relaterad länk:
-
http://dx.doi.org/10...
-
visa fler...
-
https://lup.lub.lu.s...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- It is argued that the vacancy-oxygen (VO) complex (A center) in Ge has three charge states: double negative, single negative, and neutral. Corresponding energy levels are located at E-c-0.21 eV (VO--/-) and E-v+0.27 eV (VO-/0). An absorption line at 716 cm(-1) has been assigned to the asymmetrical stretching vibration mode of the doubly negatively charged VO complex. (C) 2002 American Institute of Physics.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas