Sökning: id:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:4b51c47e-1bc7-4360-b421-8e29dbbc9dd1" >
Growth of InAs NWs ...
Growth of InAs NWs with controlled morphology by CVD
-
- Huang, Y. S. (författare)
- Peking University
-
- Li, M. (författare)
- Peking University
-
- Wang, J. (författare)
- Peking University
-
visa fler...
-
- Xing, Y. (författare)
- Peking University
-
- Xu, H. Q. (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Peking University
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2017-08-15
- 2017
- Engelska.
-
Ingår i: Journal of Physics: Conference Series. - : IOP Publishing. - 1742-6588 .- 1742-6596. ; 864:1
- Relaterad länk:
-
http://dx.doi.org/10... (free)
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://lup.lub.lu.s...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We report on the growth of single crystal InAs NWs on Si/SiOx substrates by chemical vapor deposition (CVD). By adjusting growth parameters, the diameters, morphology, length and the proportion of superlattice ZB InAs NWs (NWs) can be controlled on a Si/SiOx substrate. Our work provides a low-cost route to grow and phase-engineer single crystal InAs NWs for a wide range of potential applications.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas