id:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:816937a5-14db-4df9-8db9-78c88019578a"
Sökning: id:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:816937a5-14db-4df9-8db9-78c88019578a" > Comparison of Low-F...
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Comparison of Low-Frequency Noise in Nanowire and Planar III-V MOSFETs
-
- Hellenbrand, Markus (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Nano Electronics,Lund University Research Groups
-
- Kilpi, Olli-Pekka (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Nano Electronics,Lund University Research Groups
-
- Svensson, Johannes (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Nano Electronics,Lund University Research Groups
- visa fler...
- visa färre...
- (creator_code:org_t)
- 2019
- 2019
- Engelska.
- Konferensbidrag (övrigt vetenskapligt/konstnärligt)
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We compare III-V nanowire (NW) metal-oxidesemiconductor field-effect transistors (MOSFETs) in a vertical gate-all-around (GAA) as well as a lateral trigate architecture with planar reference MOSFETs and reveal that the NW geometry does not deteriorate the low-frequency noise (LFN) performance. In fact, with gate oxides deposited at the same conditions, the NW structures show potential to achieve better metrics due to slightly lower border trap densities Nbt. The normalized LFN in transistors with a higher number of NW can degrade due to averaging effects between individual nanowires within the same device.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- Low-Frequency Noise
- MOSFETs
- Nanowires (NWs)
Publikations- och innehållstyp
- kon (ämneskategori)
- vet (ämneskategori)
Till lärosätets databas
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Hellenbrand, Mar ...
- Kilpi, Olli-Pekk ...
- Svensson, Johann ...
- Lind, Erik
- Wernersson, Lars ...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
- TEKNIK OCH TEKNO ...
- och Elektroteknik oc ...
- och Annan elektrotek ...
- Av lärosätet
- Lunds universitet
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
