id:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:86dc018c-7c35-4a99-886a-63f10b467c83"
Sökning: id:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:86dc018c-7c35-4a99-886a-63f10b467c83" > Radial tunnel diode...
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Radial tunnel diodes based on InP/InGaAs core-shell nanowires
-
- Tizno, Ofogh (författare)
- Lund University,Lunds universitet,NanoLund: Centre for Nanoscience,Annan verksamhet, LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Other operations, LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Lancaster University
-
- Ganjipour, Bahram (författare)
- Lund University,Lunds universitet,NanoLund: Centre for Nanoscience,Annan verksamhet, LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Other operations, LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Heurlin, Magnus (författare)
- Lund University,Lunds universitet,NanoLund: Centre for Nanoscience,Annan verksamhet, LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Other operations, LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
- visa fler...
- visa färre...
- (creator_code:org_t)
- AIP Publishing, 2017
- 2017
- Engelska.
- Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 110:11
- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We report on the fabrication and characterization of radial tunnel diodes based on InP(n+)/InGaAs(p+) core-shell nanowires, where the effect of Zn-dopant precursor flow on the electrical properties of the devices is evaluated. Selective and local etching of the InGaAs shell is employed to access the nanowire core in the contact process. Devices with an n+-p doping profile show normal diode rectification, whereas n+-p+ junctions exhibit typical tunnel diode characteristics with peak-to-valley current ratios up to 14 at room temperature and 100 at 4.2 K. A maximum peak current density of 28 A/cm2 and a reverse current density of 7.3 kA/cm2 at VSD = −0.5 V are extracted at room temperature after normalization with the effective junction area.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Nanoteknik -- Nanoteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Nano-technology -- Nano-technology (hsv//eng)
- NATURVETENSKAP -- Fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
- Applied Physics Letters (Sök värdpublikationen i LIBRIS)
Till lärosätets databas
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Tizno, Ofogh
- Ganjipour, Bahra ...
- Heurlin, Magnus
- Thelander, Claes
- Borgström, Magnu ...
- Samuelson, Lars
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
- NATURVETENSKAP
- och Fysik
- och Den kondenserade ...
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
- TEKNIK OCH TEKNO ...
- och Nanoteknik
- och Nanoteknik
-
- NATURVETENSKAP
- NATURVETENSKAP
- och Fysik
- Artiklar i publikationen
- Applied Physics ...
- Av lärosätet
- Lunds universitet
- Chalmers tekniska högskola
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
