id:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:91be3a24-73e9-4733-9d9e-9ac2154a23a7"
Sökning: id:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:91be3a24-73e9-4733-9d9e-9ac2154a23a7" > The electrical and ...
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
The electrical and structural properties of n-type InAs nanowires grown from metal-organic precursors.
-
- Thelander, Claes (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
- Dick Thelander, Kimberly (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
- Borgström, Magnus (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
- visa fler...
- visa färre...
- (creator_code:org_t)
- 2010-04-23
- 2010
- Engelska.
- Ingår i: Nanotechnology. - : IOP Publishing. - 0957-4484 .- 1361-6528. ; 21:20
- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The electrical and structural properties of 111B-oriented InAs nanowires grown using metal-organic precursors have been studied. On the basis of electrical measurements it was found that the trends in carbon incorporation are similar to those observed in the layer growth, where an increased As/In precursor ratio and growth temperature result in a decrease in carbon-related impurities. Our results also show that the effect of non-intentional carbon doping is weaker in InAs nanowires compared to bulk, which may be explained by lower carbon incorporation in the nanowire core. We determine that differences in crystal quality, here quantified as the stacking fault density, are not the primary cause for variations in resistivity of the material studied. The effects of some n-dopant precursors (S, Se, Si, Sn) on InAs nanowire morphology, crystal structure and resistivity were also investigated. All precursors result in n-doped nanowires, but high precursor flows of Si and Sn also lead to enhanced radial overgrowth. Use of the Se precursor increases the stacking fault density in wurtzite nanowires, ultimately at high flows leading to a zinc blende crystal structure with strong overgrowth and very low resistivity.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Nanoteknik -- Nanoteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Nano-technology -- Nano-technology (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Thelander, Claes
- Dick Thelander, ...
- Borgström, Magnu ...
- Fröberg, Linus
- Caroff, Philippe
- Nilsson, Henrik
- visa fler...
- Samuelson, Lars
- visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
- TEKNIK OCH TEKNO ...
- och Nanoteknik
- och Nanoteknik
- Artiklar i publikationen
- Nanotechnology
- Av lärosätet
- Lunds universitet
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
