SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

id:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:96b813c8-a0fc-4357-b00c-b0b6b9e1f019"
 

Sökning: id:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:96b813c8-a0fc-4357-b00c-b0b6b9e1f019" > Tuning composition ...

Tuning composition in graded AlGaN channel HEMTs toward improved linearity for low-noise radio-frequency amplifiers

Persson, P. O.Å. (författare)
Lund University,Lunds universitet,Linköping University,Linköpings universitet,LTH profilområde: Cirkulär byggindustri,LTH profilområden,Lunds Tekniska Högskola,LTH Profile Area: Circular Building Sector,LTH Profile areas,Faculty of Engineering, LTH,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,Center for III-Nitride Technology, C3NiT-Janzén,Tunnfilmsfysik
Persson, A. R. (författare)
Linköping University,Linköpings universitet
Richter, S. (författare)
Linköping University,Lund University,Lunds universitet,NanoLund: Centre for Nanoscience,Annan verksamhet, LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,LTH profilområde: Nanovetenskap och halvledarteknologi,LTH profilområden,LU profilområde: Ljus och material,Lunds universitets profilområden,Other operations, LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,LTH Profile Area: Nanoscience and Semiconductor Technology,LTH Profile areas,Faculty of Engineering, LTH,LU Profile Area: Light and Materials,Lund University Profile areas,Terahertz Materials Analysis Center,Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,Lund Univ, Sweden,Center for III-Nitride Technology, C3NiT-Janzén; THeMAC
visa fler...
Kühne, P. (författare)
Linköping University,Terahertz Materials Analysis Center,Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,Center for III-Nitride Technology, C3NiT-Janzén; THeMAC
Stanishev, Vallery (författare)
Linköping University,Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,Center for III-Nitride Technology, C3NiT-Janzén; THeMAC
Persson, P. O.Å. (författare)
Linköping University,Lund University,Lunds universitet,LTH profilområde: Cirkulär byggindustri,LTH profilområden,Lunds Tekniska Högskola,LTH Profile Area: Circular Building Sector,LTH Profile areas,Faculty of Engineering, LTH,Linköpings universitet
Ferrand-Drake Del Castillo, Ragnar, 1993 (författare)
Chalmers University of Technology,Chalmers tekniska högskola,Chalmers Univ Technol, Sweden
Thorsell, Mattias, 1982 (författare)
Chalmers University of Technology,Saab AB,Saab,Chalmers tekniska högskola,Chalmers Univ Technol, Sweden; Saab AB, Sweden
Hjelmgren, Hans, 1960 (författare)
Chalmers University of Technology,Chalmers tekniska högskola,Chalmers Univ Technol, Sweden
Paskov, P. P. (författare)
Linköping University
Rorsman, Niklas, 1964 (författare)
Chalmers University of Technology,Chalmers tekniska högskola,Chalmers Univ Technol, Sweden
Darakchieva, V. (författare)
Linköping University,Lund University,Lunds universitet,NanoLund: Centre for Nanoscience,Annan verksamhet, LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,LTH profilområde: Nanovetenskap och halvledarteknologi,LTH profilområden,LU profilområde: Ljus och material,Lunds universitets profilområden,Other operations, LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,LTH Profile Area: Nanoscience and Semiconductor Technology,LTH Profile areas,Faculty of Engineering, LTH,LU Profile Area: Light and Materials,Lund University Profile areas,Terahertz Materials Analysis Center,Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,Lund Univ, Sweden,Center for III-Nitride Technology, C3NiT-Janzén; THeMAC
visa färre...
 (creator_code:org_t)
AIP Publishing, 2023
2023
Engelska.
Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 122:15
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • Compositionally graded channel AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) offer a promising route to improve device linearity, which is necessary for low-noise radio-frequency amplifiers. In this work, we demonstrate different grading profiles of a 10-nm-thick AlxGa1-xN channel from x = 0 to x = 0.1 using hot-wall metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). The growth process is developed by optimizing the channel grading and the channel-to-barrier transition. For this purpose, the Al-profiles and the interface sharpness, as determined from scanning transmission electron microscopy combined with energy-dispersive x-ray spectroscopy, are correlated with specific MOCVD process parameters. The results are linked to the channel properties (electron density, electron mobility, and sheet resistance) obtained by contactless Hall and terahertz optical Hall effect measurements coupled with simulations from solving self-consistently Poisson and Schrödinger equations. The impact of incorporating a thin AlN interlayer between the graded channel and the barrier layer on the HEMT properties is investigated and discussed. The optimized graded channel HEMT structure is found to have similarly high electron density (∼9 × 10 12 cm-2) as the non-graded conventional structure, though the mobility drops from ∼ 2360 cm2/V s in the conventional to ∼ 960 cm2/V s in the graded structure. The transconductance gm of the linearly graded channel HEMTs is shown to be flatter with smaller g m ′ and g m ″ as compared to the conventional non-graded channel HEMT implying improved device linearity.

Ämnesord

NATURVETENSKAP  -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
NATURVETENSKAP  -- Fysik -- Annan fysik (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Physical Sciences -- Other Physics Topics (hsv//eng)
NATURVETENSKAP  -- Kemi -- Materialkemi (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Chemical Sciences -- Materials Chemistry (hsv//eng)
TEKNIK OCH TEKNOLOGIER  -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY  -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)

Publikations- och innehållstyp

art (ämneskategori)
ref (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy