Sökning: id:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:9b7dca97-8856-4822-995e-4eda47562cea" >
A 15 GHz and a 20 G...
A 15 GHz and a 20 GHz low noise amplifier in 90 nm RF CMOS
-
- Aspemyr, Lars (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
Jacobsson, Harald (författare)
-
Bao, Mingquan (författare)
-
visa fler...
-
- Sjöland, Henrik (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
Ferndal, Mattias (författare)
-
Carchon, G (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2006
- 2006
- Engelska.
-
Ingår i: Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems. - 0780394720 ; , s. 387-390
- Relaterad länk:
-
https://portal.resea... (primary) (free)
-
visa fler...
-
http://dx.doi.org/10...
-
https://lup.lub.lu.s...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The design and measured performance of two low-noise amplifiers at 15 GHz and 20 GHz realized in a 90 nm RF-CMOS process are presented in this work. The 15 GHz LNA achieves a power gain of 12.9 dB, a noise figure of 2.0 dB and an input referred third-order intercept point (IIP3) of -2.3 dBm. The 20 GHz LNA has a power gain of 8.6 dB, a noise figure of 3.0 dB and an IIP3 of 5.6 dBm. Compared to previously reported designs, these two LNAs show lower noise figure at lower power consumption.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- kon (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas