id:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:ac62a6eb-e486-4db9-a6f8-0af5c2813dd4"
Sökning: id:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:ac62a6eb-e486-4db9-a6f8-0af5c2813dd4" > InAs/GaSb Heterostr...
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
InAs/GaSb Heterostructure Nanowires for Tunnel Field-Effect Transistors.
-
- Borg, Mattias (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
- Dick Thelander, Kimberly (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
- Ganjipour, Bahram (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
- visa fler...
- visa färre...
- (creator_code:org_t)
- 2010-08-24
- 2010
- Engelska.
- Ingår i: Nano Letters. - : American Chemical Society (ACS). - 1530-6992 .- 1530-6984. ; 10:Online August 24, 2010, s. 4080-4085
- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract
Ämnesord
Stäng
- InAs/GaSb nanowire heterostructures with thin GaInAs inserts were grown by MOVPE and characterized by electrical measurements and transmission electron microscopy. Down-scaling of the insert thickness was limited because of an observed sensitivity of GaSb nanowire growth to the presence of In. By employing growth interrupts in between the InAs and GaInAs growth steps it was possible to reach an insert thickness down to 25 nm. Two-terminal devices show a diode behavior, where temperature-dependent measurements indicate a heterostructure barrier height of 0.5 eV, which is identified as the valence band offset between the InAs and GaSb. Three-terminal transistor structures with a top-gate positioned at the heterointerface show clear indications of band-to-band tunnelling.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Nanoteknik -- Nanoteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Nano-technology -- Nano-technology (hsv//eng)
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Borg, Mattias
- Dick Thelander, ...
- Ganjipour, Bahra ...
- Pistol, Mats-Eri ...
- Wernersson, Lars ...
- Thelander, Claes
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
- TEKNIK OCH TEKNO ...
- och Nanoteknik
- och Nanoteknik
-
- NATURVETENSKAP
- NATURVETENSKAP
- och Fysik
- och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
- Nano Letters
- Av lärosätet
- Lunds universitet
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
