Sökning: onr:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:b01a6230-1c47-4e26-8a97-c3894418cb26" >
Single-electron tra...
Single-electron transistors in heterostructure nanowires.
-
- Thelander, Claes (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
- Mårtensson, Thomas (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
- Björk, Mikael (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
visa fler...
-
Ohlsson, B J (författare)
-
- Larsson, Marcus (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
- Wallenberg, Reine (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Centrum för analys och syntes,Kemiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Centre for Analysis and Synthesis,Department of Chemistry,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
- Samuelson, Lars (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Neuronano Research Center (NRC),Forskargrupper vid Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Lund University Research Groups,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- AIP Publishing, 2003
- 2003
- Engelska.
-
Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 83:10, s. 2052-2054
- Relaterad länk:
-
http://dx.doi.org/10...
-
visa fler...
-
https://lup.lub.lu.s...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Semiconductor-based single-electron transistors have been fabricated using heterostructure nanowire growth, by introducing a double barrier of InP into InAs nanowires. From electrical measurements, we observe a charging energy of 4 meV for the approximately 55 nm diameter and 100 nm long InAs islands between the InP barriers. The Coulomb blockade can be periodically lifted as a function of gate voltage for all devices, which is a typical signature of single-island transistors. Homogeneous InAs nanowires show no such effect for the corresponding voltage ranges. ©2003 American Institute of Physics.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Kemi (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Chemical Sciences (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas