id:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:ca27c63d-2516-49df-a9c5-463674963fa0"
Sökning: id:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:ca27c63d-2516-49df-a9c5-463674963fa0" > Low-Frequency Noise...
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Low-Frequency Noise in Nanowire and Planar III-V MOSFETs
-
- Hellenbrand, Markus (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Nano Electronics,Lund University Research Groups
-
- Kilpi, Olli-Pekka (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Nano Electronics,Lund University Research Groups
-
- Svensson, Johannes (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Nano Electronics,Lund University Research Groups
- visa fler...
- visa färre...
- (creator_code:org_t)
- Elsevier BV, 2019
- 2019
- Engelska.
- Ingår i: Microelectronic Engineering. - : Elsevier BV. - 0167-9317.
- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Nanowire geometries are leading contenders for future low-power transistor design. In this study, low-frequency noise is measured and evaluated in highly scaled III-V nanowire metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) and in planar III-V MOSFETs to investigate to what extent the device geometry affects the noise performance. Number fluctuations are identified as the dominant noise mechanism in both architectures. In order to perform a thorough comparison of the two architectures, a discussion of the underlying noise model is included. We find that the noise performance of the MOSFETs in a nanowire architecture is at least comparable to the planar devices. The input-referred voltage noise in the nanowire devices is superior by at least a factor of four.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Nanoteknik -- Nanoteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Nano-technology -- Nano-technology (hsv//eng)
Nyckelord
- III-V
- Nanowire (NW)
- MOSFET
- Low-Frequency Noise
- Gate Oxide Defects
- Border Traps
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
- Microelectronic Engineering (Sök värdpublikationen i LIBRIS)
Till lärosätets databas
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Hellenbrand, Mar ...
- Kilpi, Olli-Pekk ...
- Svensson, Johann ...
- Lind, Erik
- Wernersson, Lars ...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
- TEKNIK OCH TEKNO ...
- och Nanoteknik
- och Nanoteknik
- Artiklar i publikationen
- Microelectronic ...
- Av lärosätet
- Lunds universitet
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
