id:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:e418ee94-467d-4242-bbff-38cdbf15520d"
Sökning: id:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:e418ee94-467d-4242-bbff-38cdbf15520d" > Dual-gate induced I...
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Dual-gate induced InP nanowire diode
-
- Storm, Kristian (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
- Nylund, Gustav (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
- Borgström, Magnus (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
- visa fler...
- visa färre...
- (creator_code:org_t)
- AIP, 2011
- 2011
- Engelska.
- Ingår i: Physics of Semiconductors: 30th International Conference on the Physics of Semiconductors. - : AIP. - 1551-7616 .- 0094-243X. ; 1399, s. 279-280
- Konferensbidrag (refereegranskat)
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Semiconductor devices are heavily dependent on dopant incorporation in order to control the electrical properties. In this paper we investigate the possibility of using gates wrapped around a nanowire (NW) channel as a way of tuning the Fermi level position, in certain cases removing the need for dopants and providing a more dynamical way of setting the device properties. InP NW devices with omega gates are fabricated, and a p-n junction is formed in a nominally intrinsic NW channel. In order to further increase the electrostatic control of the channel and other device properties, vertical devices are discussed as a promising way of implementing this type of device.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Nyckelord
- Fermi level tuning
- InP
- wrap-gate
- nanowire
Publikations- och innehållstyp
- kon (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
- Physics of Semiconductors: 30th International Conference on the Physics of Semic... (Sök värdpublikationen i LIBRIS)
Till lärosätets databas
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Storm, Kristian
- Nylund, Gustav
- Borgström, Magnu ...
- Wallentin, Jespe ...
- Fasth, Carina
- Thelander, Claes
- visa fler...
- Samuelson, Lars
- visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
- NATURVETENSKAP
- och Fysik
- och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
- Physics of Semic ...
- Av lärosätet
- Lunds universitet
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
