Sökning: id:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:eace30b8-9fd2-4a62-ada1-6276bacbf1cf" >
Carrier density sat...
Carrier density saturation in a Ga0.25In0.75As/InP heterostructure
-
Martin, T. P. (författare)
-
Marlow, C. A. (författare)
-
- Samuelson, Lars (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
visa fler...
-
Linke, H. (författare)
-
Taylor, R. P. (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Elsevier BV, 2008
- 2008
- Engelska.
-
Ingår i: Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. - : Elsevier BV. - 1386-9477. ; 40:5, s. 1754-1756
- Relaterad länk:
-
http://dx.doi.org/10...
-
visa fler...
-
https://lup.lub.lu.s...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We observe a strong saturation of the carrier density in the quantum well of a Ga0.25In0.75As/InP MISFET at positive gate voltages. Using a self-consistent Schrodinger/Poisson solver, we model the band structure and find that the saturation is caused by the population of charge states between the gate and the quantum well. We discuss the impact of these charge states on the transport properties, and present a fabrication method that avoids parallel conduction in this heterostructure. (C) 2007 Elsevier B.V. All rights reserved.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Nyckelord
- saturation
- carrier density
- GaInAs
- InP
- band structure
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas