id:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:ebc70878-aff2-4504-8d89-5ee777ae1b4a"
Sökning: id:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:ebc70878-aff2-4504-8d89-5ee777ae1b4a" > InAs nanowire MOSFE...
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
InAs nanowire MOSFETs in three-transistor configurations: single balanced RF down-conversion mixers.
-
- Berg, Martin (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
- Persson, Karl-Magnus (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
- Wu, Jun (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
- visa fler...
- visa färre...
- (creator_code:org_t)
- 2014-11-10
- 2014
- Engelska.
- Ingår i: Nanotechnology. - : IOP Publishing. - 0957-4484 .- 1361-6528. ; 25:48
- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Integration of III-V semiconductors on Si substrates allows for the realization of high-performance, low power III-V electronics on the Si-platform. In this work, we demonstrate the implementation of single balanced down-conversion mixer circuits, fabricated using vertically aligned InAs nanowire devices on Si. A thin, highly doped InAs buffer layer has been introduced to reduce the access resistance and serve as a bottom electrode. Low-frequency voltage conversion gain is measured up to 7 dB for a supply voltage of 1.5V. Operation of these mixers extends into the GHz regime with a [Formula: see text] cut-off frequency of 2 GHz, limited by the optical lithography system used. The circuit dc power consumption is measured at 3.9 mW.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Nanoteknik -- Nanoteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Nano-technology -- Nano-technology (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Berg, Martin
- Persson, Karl-Ma ...
- Wu, Jun
- Lind, Erik
- Sjöland, Henrik
- Wernersson, Lars ...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
- TEKNIK OCH TEKNO ...
- och Nanoteknik
- och Nanoteknik
- Artiklar i publikationen
- Nanotechnology
- Av lärosätet
- Lunds universitet
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
