id:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:fa56562e-dee1-4400-b8bc-ae66d116951a"
Sökning: id:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:fa56562e-dee1-4400-b8bc-ae66d116951a" > gm/Id Analysis of v...
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
gm/Id Analysis of vertical nanowire III–V TFETs
-
- Rangasamy, Gautham (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,LTH profilområde: AI och digitalisering,LTH profilområden,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Nano Electronics,Lund University Research Groups,LTH Profile Area: AI and Digitalization,LTH Profile areas,Faculty of Engineering, LTH
-
- Zhu, Zhongyunshen (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,LTH profilområde: AI och digitalisering,LTH profilområden,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Nano Electronics,Lund University Research Groups,LTH Profile Area: AI and Digitalization,LTH Profile areas,Faculty of Engineering, LTH
-
- Ohlsson Fhager, Lars (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,LTH profilområde: Nanovetenskap och halvledarteknologi,LTH profilområden,LTH profilområde: AI och digitalisering,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Nano Electronics,Lund University Research Groups,LTH Profile Area: Nanoscience and Semiconductor Technology,LTH Profile areas,Faculty of Engineering, LTH,LTH Profile Area: AI and Digitalization,Faculty of Engineering, LTH
- visa fler...
- visa färre...
- (creator_code:org_t)
- 2023
- 2023
- Engelska.
- Ingår i: Electronics Letters. - 1350-911X. ; 59:18
- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Experimental data on analog performance of gate-all-around III-V vertical Tunnel Field-Effect Transistors (TFETs) and circuits are presented. The individual device shows a minimal subthreshold swing of 44 mV/dec and transconductance efficiency of 50 V−1 for current range of 9 nA/μm to 100 nA/μm and at a drain voltage of 100 mV. This TFET demonstrates translinearity between transconductance and drain current for over a decade of current, paving way for low power current-mode analog IC design. To explore this design principle, a current conveyor circuit is implemented, which exhibits large-signal voltage gain of 0.89 mV/mV, current gain of 1nA/nA and an operating frequency of 320 kHz. Furthermore, at higher drain bias of 500 mV, the device shows maximum transconductance of 72 μS/μm and maximum drain current of 26 μA/μm. The device, thereby, can be operated as a current mode device at lower bias voltage and as voltage mode device at higher bias voltage.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Rangasamy, Gauth ...
- Zhu, Zhongyunshe ...
- Ohlsson Fhager, ...
- Wernersson, Lars ...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
- TEKNIK OCH TEKNO ...
- och Elektroteknik oc ...
- och Annan elektrotek ...
- Artiklar i publikationen
- Electronics Lett ...
- Av lärosätet
- Lunds universitet
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
