Sökning: id:"swepub:oai:research.chalmers.se:01e952f3-9d29-4894-b750-ddc7ff44955b" >
Low-Pressure-Chemic...
Low-Pressure-Chemical-Vapor-Deposition SiNx Passivated AlGaN/GaN HEMTs for Power Amplifier Application
-
- Huang, Tongde, 1985 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Axelsson, Olle, 1986 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Malmros, Anna, 1977 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa fler...
-
- Bergsten, Johan, 1988 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Gustafsson, Sebastian, 1990 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Thorsell, Mattias, 1982 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Rorsman, Niklas, 1964 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- ISBN 9781479987672
- 2015
- 2015
- Engelska.
-
Ingår i: 2015 Asia-Pacific Microwave Conference (Apmc), Vols 1-3. - 9781479987672
- Relaterad länk:
-
https://research.cha...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- A Low-Pressure-Chemical-Vapor-Deposition (LPCVD) bilayer SiNx passivation scheme has been investigated and developed, which effectively suppress the current collapse in AlGaN/GaN HEMTs. Low current slump is very helpful for microwave power amplifier application. Compared to in-situ SiNx passivations by metal-organic-chemical-vapor-deposition (MOCVD) and ex-situ SiNx passivations by plasma-enhanced-chemical-vapor-deposition (PECVD), the LPCVD SiNx exhibits the quickest recovery time from double-sweep IV curves. From pulsed IV and load-pull measurements, LPCVD SiNx is also confirmed to deliver superior large signal performance. The bilayer LPCVD SiNx passivated device shows negligible current slump (
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Telekommunikation (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Telecommunications (hsv//eng)
Nyckelord
- Trapping
- current collapse
- AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors
- passivation
Publikations- och innehållstyp
- kon (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Huang, Tongde, 1 ...
-
Axelsson, Olle, ...
-
Malmros, Anna, 1 ...
-
Bergsten, Johan, ...
-
Gustafsson, Seba ...
-
Thorsell, Mattia ...
-
visa fler...
-
Rorsman, Niklas, ...
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Elektroteknik oc ...
-
och Telekommunikatio ...
- Artiklar i publikationen
-
2015 Asia-Pacifi ...
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola