Sökning: id:"swepub:oai:research.chalmers.se:1db960a1-13b4-4842-91c5-cbc3d9c4245f" >
Molecular beam epit...
Molecular beam epitaxy growth of AlAs 1-x Bi x
-
- Wang, Chang (författare)
- ShanghaiTech University,Chinese Academy of Sciences
-
- Wang, L (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Wu, Xiaoyan (författare)
- Shanghai Jiao Tong University
-
visa fler...
-
- Zhang, Yanchao (författare)
- ShanghaiTech University,Chinese Academy of Sciences
-
- Liang, Hao (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Yue, L. (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Zhang, Z. (författare)
- Chinese Academy of Sciences,ShanghaiTech University
-
- Ou, Xin (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Wang, Shu Min, 1963 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology,ShanghaiTech University,Chinese Academy of Sciences
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2019-02-06
- 2019
- Engelska.
-
Ingår i: Semiconductor Science and Technology. - : IOP Publishing. - 1361-6641 .- 0268-1242. ; 34:3
- Relaterad länk:
-
https://doi.org/10.1...
-
visa fler...
-
https://research.cha...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- High quality AlAs 1-x Bi x layers with Bi composition of 3%-10.5% have been successfully grown by molecular beam epitaxy. The Bi incorporation is confirmed by Rutherford backscattering spectroscopy. For a 400 nm thick AlAsBi layer, the strain relaxation occurs when the Bi composition is larger than 6.5%. Flux ratio is calculated from Knudsen-cell model and Maxwell equation, according to the geometrical relationship of our equipment. The Bi incorporation increases with increasing the As-Al flux ratio as well as the Bi flux. The extrapolation lattice constant of hypothetic zincblende AlBi alloy is about 6.23 Å.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Kemi -- Fysikalisk kemi (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Chemical Sciences -- Physical Chemistry (hsv//eng)
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Materialteknik -- Annan materialteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Materials Engineering -- Other Materials Engineering (hsv//eng)
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Nyckelord
- As-Al flux ratio
- Rutherford backscattering spectroscopy
- molecular beam epitaxy
- AsBi
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Wang, Chang
-
Wang, L
-
Wu, Xiaoyan
-
Zhang, Yanchao
-
Liang, Hao
-
Yue, L.
-
visa fler...
-
Zhang, Z.
-
Ou, Xin
-
Wang, Shu Min, 1 ...
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Kemi
-
och Fysikalisk kemi
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Materialteknik
-
och Annan materialte ...
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
-
Semiconductor Sc ...
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola