High field effect mobility in n-channel Si face 4H-SiC MOSFETs with gate oxide grown on aluminum ion-implanted material

Gudjonsson, Gudjon, 1973 (författare)

Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology

Olafsson, Halldor, 1972 (författare)

Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology

Allerstam, Fredrik, 1978 (författare)

Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology

visa fler...

Nilsson, Per-Åke, 1964 (författare)

Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology

Sveinbjörnsson, Einar, 1964 (författare)

Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology

Zirath, Herbert, 1955 (författare)

Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology

Rödle, Thomas (författare)

Jos, Hendrikus, 1954 (författare)

visa färre...

 (creator_code:org_t)

2005

2005

Engelska.

Ingår i: IEEE Electron Device Letters. ; 26:2, s. 96-98

Relaterad länk:

https://research.cha...

• Tidskriftsartikel (refereegranskat)