Sökning: id:"swepub:oai:research.chalmers.se:322d7d66-322b-4321-af99-e08affdbfa4f" >
Passivation of InGa...
Passivation of InGaAs/InAlAs/InP HEMTs using Al2O3 atomic layer deposition
-
- Schleeh, Joel, 1986 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Halonen, John, 1960 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Nilsson, Bengt, 1954 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa fler...
-
- Nilsson, Per-Åke, 1964 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Zeng, Lunjie, 1983 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
P., Ramvall (författare)
-
- Wadefalk, Niklas, 1973 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Zirath, Herbert, 1955 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Olsson, Eva, 1960 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Grahn, Jan, 1962 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- ISBN 9781457717536
- 2011
- 2011
- Engelska.
-
Ingår i: Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials. 2011 Compound Semiconductor Week and 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, CSW/IPRM 2011, Berlin, 22-26 May 2011. - 1092-8669. - 9781457717536
- Relaterad länk:
-
https://research.cha...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- InGaAs/InAlAs/InP HEMTs (InP HEMTs) passivated by Al2O3 atomic layer deposition (ALD) demonstrated improved DC performance compared to Si3N4 plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD). DC measurements have been performed on 130 nm gate-length devices before and after passivation. An increase in maximum drain current density of 20% and extrinsic transconductance of 30% were observed after both ALD and PECVD device passivation. In comparison to PECVD passivated InP HEMTs, ALD passivated devices demonstrated a full suppression of a kink in the I-V characteristics associated with surface traps.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- kon (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Schleeh, Joel, 1 ...
-
Halonen, John, 1 ...
-
Nilsson, Bengt, ...
-
Nilsson, Per-Åke ...
-
Zeng, Lunjie, 19 ...
-
P., Ramvall
-
visa fler...
-
Wadefalk, Niklas ...
-
Zirath, Herbert, ...
-
Olsson, Eva, 196 ...
-
Grahn, Jan, 1962
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
- Artiklar i publikationen
-
Conference Proce ...
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola