Sökning: id:"swepub:oai:research.chalmers.se:58dec085-2ab8-44a7-9f0d-c458b35b458e" >
Properties of burie...
Properties of buried silicon dioxide layers
-
- Ericsson, Per, 1968 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
(creator_code:org_t)
- ISBN 9171971238
- 1995
- Engelska.
- Relaterad länk:
-
https://research.cha...
Ämnesord
Stäng
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- BESOI
- charge tripping
- radiation damage
- silicon on insulator
- separation by imlanted oxygen
- bond and etchback SOI
- SIMOX
- thermal stress
- SOI
- charge injection
Publikations- och innehållstyp
- lic (ämneskategori)
- vet (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas