SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

id:"swepub:oai:research.chalmers.se:66b82ff9-08d0-4884-b4ae-ad8ce836adfc"
 

Sökning: id:"swepub:oai:research.chalmers.se:66b82ff9-08d0-4884-b4ae-ad8ce836adfc" > Evaluation and Supp...

Evaluation and Suppression Method of Turn-off Current Spike for SiC/Si Hybrid Switch

Qin, Haihong (författare)
Nanjing University of Aeronautics and Astronautics
Xie, Sixuan (författare)
Nanjing University of Aeronautics and Astronautics
Ba, Zhenhua (författare)
Nanjing University of Aeronautics and Astronautics
visa fler...
Liu, Xiang (författare)
Nanjing University of Aeronautics and Astronautics
Chen, Wenming (författare)
Nanjing University of Aeronautics and Astronautics
Fu, Dafeng (författare)
Nanjing University of Aeronautics and Astronautics
Xun, Qian, 1990 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
visa färre...
 (creator_code:org_t)
2023
2023
Engelska.
Ingår i: IEEE Access. - 2169-3536 .- 2169-3536. ; 11, s. 26832-26842
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • SiC MOSFET/Si IGBT (SiC/Si) hybrid switch usually selects the gate control pattern that SiC MOSFET turns on earlier and turns off later than Si IGBT, with the aim of making the hybrid switch show excellent switching characteristics of SiC MOSFET and reduce switching loss. However, when SiC MOSFET turns off, the fast slew rate of drain source voltage causes the current spike in Si IGBT due to the effects of parasitic capacitance charging and carrier recombination, which will produce additional turn-off loss, thus affecting the overall efficiency and temperature rise of the converter. Based on the double pulse test circuit of SiC/Si hybrid switch, the mathematical model of the turn-off transient process is established. The effects of the remnant carrier recombination degree of Si IGBT, the turn-off speed of SiC MOSFET and the working conditions on the turn-off current spike of hybrid switch are evaluated. Although adjusting these parameters can reduce the turn-off current spike somewhat, additional losses will be introduced. Therefore, a new method to suppress the turn-off current spike is proposed to balance the power loss and current stress.

Ämnesord

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER  -- Maskinteknik -- Energiteknik (hsv//swe)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY  -- Mechanical Engineering -- Energy Engineering (hsv//eng)
TEKNIK OCH TEKNOLOGIER  -- Maskinteknik -- Farkostteknik (hsv//swe)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY  -- Mechanical Engineering -- Vehicle Engineering (hsv//eng)
TEKNIK OCH TEKNOLOGIER  -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY  -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)

Nyckelord

MOSFET
current spike
Switches
suppression method
Delays
hybrid switch
SiC MOSFET/Si IGBT
Insulated gate bipolar transistors
Logic gates
Silicon carbide
Silicon

Publikations- och innehållstyp

art (ämneskategori)
ref (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Sök utanför SwePub

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy