SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

id:"swepub:oai:research.chalmers.se:85517154-8a70-4c5b-bd4a-28f90280ea64"
 

Sökning: id:"swepub:oai:research.chalmers.se:85517154-8a70-4c5b-bd4a-28f90280ea64" > Submicrometer MgB2 ...

Submicrometer MgB2 hot electron bolometer mixers

Bevilacqua, Stella, 1981 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
Cherednichenko, Serguei, 1970 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
Drakinskiy, Vladimir, 1977 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
visa fler...
Stake, Jan, 1971 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
Shibata, Hiroyuki (författare)
Tokura, Yasuhiro (författare)
visa färre...
 (creator_code:org_t)
2013
2013
Engelska.
Ingår i: The 24th International Symposium on Space Terahertz Technology.
  • Konferensbidrag (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • Phonon-cooled hot electron bolometer mixers based on MgB2 film are promising candidates for THz radio astronomy at frequency above 1 THz. The short electron-phonon interaction time and the high critical temperature of the MgB2 (39 K in the bulk), compared to other intermetallic compounds, make it suitable for applications where wide IF bandwidth and low noise are needed. The currently achieved gain and noise bandwidths are 3.4 GHz and 7 GHz for HEBs fabricated in 10 nm MgB2 films. The noise temperature of 800 K was measured at 600 GHz local oscillator (LO) frequency using the Y-factor technique.MgB2 has been demonstrated to be sensitive to the oxygen as well as water, therefore it makes the fabrication of sub-µm HEBs very challenging. HEBs were fabricated using electron beam lithography in 10 nm MgB2 films with a bolometer area in the range of 0.09 and 0.25 µm2. We report the performance of the devices respect to the noise temperature at LO frequency up to 2.5 THz. Using the isothermal technique the LO power requirement was estimated respect to the bolometer area. Based on the material parameters obtained from the experiments, the two temperature model simulations showed a gain bandwidth as large as 8-10 GHz for thin MgB2 films.

Ämnesord

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER  -- Elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY  -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
TEKNIK OCH TEKNOLOGIER  -- Nanoteknik (hsv//swe)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY  -- Nano-technology (hsv//eng)

Publikations- och innehållstyp

kon (ämneskategori)
ref (ämneskategori)

Till lärosätets databas

Hitta mer i SwePub

Av författaren/redakt...
Bevilacqua, Stel ...
Cherednichenko, ...
Drakinskiy, Vlad ...
Stake, Jan, 1971
Shibata, Hiroyuk ...
Tokura, Yasuhiro
Om ämnet
TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
TEKNIK OCH TEKNO ...
och Elektroteknik oc ...
TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
TEKNIK OCH TEKNO ...
och Nanoteknik
Artiklar i publikationen
Av lärosätet
Chalmers tekniska högskola

Sök utanför SwePub

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy