Sökning: id:"swepub:oai:research.chalmers.se:9ca7b9df-bf9b-4fe0-a47e-da32a2fc1dca" >
High-k-oxide/silico...
High-k-oxide/silicon interfaces characterized by capacitance frequency spectroscopy
-
- Raeissi, Bahman, 1979 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Piscator, Johan, 1977 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Engström, Olof, 1943 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa fler...
-
- Hall, S. (författare)
- University of Liverpool
-
- Buiu, O. (författare)
- University of Liverpool
-
- Lemme, Max C., 1970- (författare)
- AMO GmbH, AMICA, Aachen, Germany
-
Gottlob, H.D.B. (författare)
-
- Hurley, P.K. (författare)
- Tyndall National Institute at National University of Ireland, Cork
-
- Cherkaoui, K. (författare)
- Tyndall National Institute at National University of Ireland, Cork
-
- Osten, H.J. (författare)
- University of Hanover, Germany
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Elsevier BV, 2008
- 2008
- Engelska.
-
Ingår i: Solid-State Electronics. - : Elsevier BV. - 0038-1101 .- 1879-2405. ; 52:9, s. 1274-1279
- Relaterad länk:
-
https://doi.org/10.1...
-
visa fler...
-
https://research.cha...
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Electron capture into insulator/silicon interface states is investigated for high-k dielectrics of Gd2O3 preparedby molecular beam epitaxy (MBE) and atomic layer deposition (ALD), and for HfO2 prepared byreactive sputtering, by measuring the frequency dependence of Metal Oxide Semiconductor (MOS) capacitance.The capture cross sections are found to be thermally activated and to increase steeply with theenergy depth of the interface electron states. The methodology adopted is considered useful for increasingthe understanding of high-k-oxide/silicon interfaces.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Materialteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Materials Engineering (hsv//eng)
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Annan teknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Other Engineering and Technologies (hsv//eng)
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Nanoteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Nano-technology (hsv//eng)
Nyckelord
- Gd2O3
- Capacitance frequency spectroscopy
- High-k
- HfO2
- MOS
- Capture cross section
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Raeissi, Bahman, ...
-
Piscator, Johan, ...
-
Engström, Olof, ...
-
Hall, S.
-
Buiu, O.
-
Lemme, Max C., 1 ...
-
visa fler...
-
Gottlob, H.D.B.
-
Hurley, P.K.
-
Cherkaoui, K.
-
Osten, H.J.
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Materialteknik
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Annan teknik
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Elektroteknik oc ...
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Nanoteknik
- Artiklar i publikationen
-
Solid-State Elec ...
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola
-
Kungliga Tekniska Högskolan