SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

id:"swepub:oai:research.chalmers.se:a15246f9-3ac4-4c2e-8342-770d3242a4d6"
 

Sökning: id:"swepub:oai:research.chalmers.se:a15246f9-3ac4-4c2e-8342-770d3242a4d6" > Impact of strain on...

Impact of strain on the excitonic linewidth in transition metal dichalcogenides

Khatibi, Zahra, 1987 (författare)
Iran University of Science and Technology,Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
Feierabend, Maja, 1990 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
Selig, Malte, 1988 (författare)
Technische Universität Berlin,Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
visa fler...
Brem, Samuel, 1991 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
Linderälv, Christopher, 1986 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
Erhart, Paul, 1978 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
Malic, Ermin, 1980 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
visa färre...
 (creator_code:org_t)
2018-11-26
2019
Engelska.
Ingår i: 2D Materials. - : IOP Publishing. - 2053-1583. ; 6:1
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • Monolayer transition metal dichalcogenides (TMDs) are known to be highly sensitive to externally applied tensile or compressive strain. In particular, strain can be exploited as a tool to control the optical response of TMDs. However, the role of excitonic effects under strain has not been fully understood yet. Utilizing the strain-induced modification of electron and phonon dispersion obtained by first principle calculations, we present in this work microscopic insights into the strain-dependent optical response of various TMD materials. We show that the different changes in the excitonic linewidth of diverse TMD monolayers are due to the strain-induced modification of the relative spectral position of bright and dark excitonic states. Our theoretical results explain well the observed partially opposite changes in the excitonic linewidth of different TMDs at room temperature. Furthermore, we predict the linewidth behavior of excitonic resonances in strained TMDs for tensile and compressive strain at low temperatures.

Ämnesord

NATURVETENSKAP  -- Fysik -- Atom- och molekylfysik och optik (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Physical Sciences -- Atom and Molecular Physics and Optics (hsv//eng)
TEKNIK OCH TEKNOLOGIER  -- Materialteknik -- Annan materialteknik (hsv//swe)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY  -- Materials Engineering -- Other Materials Engineering (hsv//eng)
NATURVETENSKAP  -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)

Nyckelord

excitonic absorption spectrum
strain
transition metal dichalcogenides

Publikations- och innehållstyp

art (ämneskategori)
ref (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy