Tyck till om SwePub Sök
här!
Sökning: id:"swepub:oai:research.chalmers.se:a2e5067c-e27f-44d3-afab-f4cd0b865c85" >
Morphological and e...
Morphological and electrical comparison of Ti and Ta based ohmic contacts for AlGaN/GaN-on-SiC HFETs
-
- Pooth, A. (författare)
- University of Bristol
-
- Bergsten, Johan, 1988 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Rorsman, Niklas, 1964 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa fler...
-
- Hirshy, H. (författare)
- Cardiff University
-
- Perks, R. (författare)
- Cardiff University
-
- Tasker, Paul J. (författare)
- Cardiff University
-
Martin, T. (författare)
-
- Webster, R. F. (författare)
- University of Bristol
-
- Cherns, D. (författare)
- University of Bristol
-
- Uren, M. J. (författare)
- University of Bristol
-
- Kuball, M. (författare)
- University of Bristol
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Elsevier BV, 2017
- 2017
- Engelska.
-
Ingår i: Microelectronics and Reliability. - : Elsevier BV. - 0026-2714. ; 68, s. 2-4
- Relaterad länk:
-
http://dx.doi.org/10...
-
visa fler...
-
https://orca.cardiff...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://research.cha...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The morphology and impact on leakage currents of two different ohmic metal stacks for GaN based transistor devices is investigated in this work. The results have implications for the performance and reliability of a GaN transistor device. A low temperature Ta based and a higher temperature anneal Ti based metallization are compared. The low temperature process shows a smoother metal semiconductor interface together with several orders of magnitude lower vertical and lateral leakage compared to the conventional higher temperature process. In addition to the leakage tests, back bias ramping experiments are performed unveiling potential advantages of the conventional approach in mitigating current collapse. However the low leakage will enable higher voltage operation making the low temperature process the preferable choice for high power RF applications, if simultaneously current collapse can be controlled.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- Ohmic contact
- Morphology
- Current collapse
- Leakage current
- GaN
- Transistor
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Pooth, A.
-
Bergsten, Johan, ...
-
Rorsman, Niklas, ...
-
Hirshy, H.
-
Perks, R.
-
Tasker, Paul J.
-
visa fler...
-
Martin, T.
-
Webster, R. F.
-
Cherns, D.
-
Uren, M. J.
-
Kuball, M.
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Elektroteknik oc ...
- Artiklar i publikationen
-
Microelectronics ...
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola