Sökning: id:"swepub:oai:research.chalmers.se:b7323a6f-eea4-41bd-9c1c-6789b32ad4ae" >
Electric-Based Ther...
Electric-Based Thermal Characterization of GaN Technologies Affected by Trapping Effects
-
- Bremer, Johan, 1991 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Ding Yuan, Chen, 1991 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Malko, Aleksandra (författare)
- United Monolithic Semiconductors (UMS)
-
visa fler...
-
- Madel, Manfred (författare)
- United Monolithic Semiconductors (UMS)
-
- Rorsman, Niklas, 1964 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Gunnarsson, Sten, 1976 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Andersson, Kristoffer (författare)
- Telefonaktiebolaget L M Ericsson,Ericsson
-
- Nilsson, Torbjörn, 1962 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Raad, Peter E. (författare)
- Southern Methodist University
-
Komarov, Pavel L. (författare)
-
Sandy, Travis L. (författare)
-
- Thorsell, Mattias, 1982 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2020
- 2020
- Engelska.
-
Ingår i: IEEE Transactions on Electron Devices. - 1557-9646 .- 0018-9383. ; 67:5, s. 1952-1958
- Relaterad länk:
-
https://doi.org/10.1...
-
visa fler...
-
https://research.cha...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- This article presents an electric-based methodology for thermal characterization of semiconductor technologies. It is shown that for technologies such as gallium nitride (GaN) high electron mobility transistors, which exhibit several field induced electron trapping effects, the thermal characterization has to be performed under specific conditions. The electric field is limited to low levels to avoid activation of trap states. At the same time, the dissipated power needs to be high enough to change the operating temperature of the device. The method is demonstrated on a test structure implemented as a GaN resistor with large contact separation. It is used to evaluate the thermal properties of samples with different silicon carbide suppliers and buffer thickness.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Materialteknik -- Annan materialteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Materials Engineering -- Other Materials Engineering (hsv//eng)
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Nyckelord
- measurement
- electrothermal effects
- thermal resistance
- gallium nitride (GaN)
- Characterization
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Bremer, Johan, 1 ...
-
Ding Yuan, Chen, ...
-
Malko, Aleksandr ...
-
Madel, Manfred
-
Rorsman, Niklas, ...
-
Gunnarsson, Sten ...
-
visa fler...
-
Andersson, Krist ...
-
Nilsson, Torbjör ...
-
Raad, Peter E.
-
Komarov, Pavel L ...
-
Sandy, Travis L.
-
Thorsell, Mattia ...
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Materialteknik
-
och Annan materialte ...
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Elektroteknik oc ...
-
och Annan elektrotek ...
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
-
IEEE Transaction ...
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola