Sökning: id:"swepub:oai:research.chalmers.se:ba8c4704-8a98-42f5-9dfb-32fe7f2ccd27" >
Hole emission mecha...
Hole emission mechanism in Ge/Si quantum dots
-
Kaniewska, M. (författare)
-
- Engström, Olof, 1943 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Karmous, A. (författare)
- Universität Stuttgart,University of Stuttgart
-
visa fler...
-
- Kirfel, O. (författare)
- Universität Stuttgart,University of Stuttgart
-
- Kasper, E. (författare)
- Universität Stuttgart,University of Stuttgart
-
- Raeissi, Bahman, 1979 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Piscator, Johan, 1977 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
Zaremba, G. (författare)
-
Kaczmarczyk, M (författare)
-
- Surma, B (författare)
- Instytutu Technologii Materialow Elektronicznych w Warszawie
-
- Wnuk, A (författare)
- Instytutu Technologii Materialow Elektronicznych w Warszawie
-
Wzorek, M (författare)
-
Czerwinsky, A (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2010-12-20
- 2011
- Engelska.
-
Ingår i: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. - : Wiley. - 1610-1642 .- 1862-6351. ; 8:2, s. 411 -413
- Relaterad länk:
-
http://dx.doi.org/10...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://research.cha...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The mechanisms determining emission of holes in self-assembled Ge quantum dots (QDs) embedded in the p-type Si matrix have been investigated. Specimens were prepared by molecular beam epitaxy (MBE). Electrical methods such as deep level transient spectroscopy (DLTS) and capacitance versus voltage (C-V) measurements were used for the study. The emission mechanisms were identified by measuring a QD-related signal as a function of the repetition frequency of the filling pulses with the reverse voltage and the pulse voltage as a parameter. An observed shift of the signal position or its absence versus the voltage parameters was interpreted in terms of thermal, tunnelling and mixed processes and attributed to the presence of a Coulomb barrier formed as a result of the charging effect. Thermal emission properties of the QDs were characterized under such measurement conditions that tunnelling contributions to the DLTS spectra could be neglected.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Annan teknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Other Engineering and Technologies (hsv//eng)
Nyckelord
- DLTS
- Ge/Si
- Self-assembled quantum dots
- MBE
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Kaniewska, M.
-
Engström, Olof, ...
-
Karmous, A.
-
Kirfel, O.
-
Kasper, E.
-
Raeissi, Bahman, ...
-
visa fler...
-
Piscator, Johan, ...
-
Zaremba, G.
-
Kaczmarczyk, M
-
Surma, B
-
Wnuk, A
-
Wzorek, M
-
Czerwinsky, A
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Annan teknik
- Artiklar i publikationen
-
Physica Status S ...
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola