Sökning: id:"swepub:oai:research.chalmers.se:bb52eeb5-d6a3-41e8-ac6f-fadb900c4eff" >
High-Mobility Ambip...
High-Mobility Ambipolar Magnetotransport in Topological Insulator Bi2Se3 Nanoribbons
-
- Kunakova, Gunta, 1987 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology,Latvijas Universitate,University of Latvia
-
- Bauch, Thilo, 1972 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Palermo, Xavier, 1991 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa fler...
-
- Salvato, Matteo (författare)
- Universita degli Studi di Roma Tor Vergata,University of Rome Tor Vergata
-
- Andzane, Jana (författare)
- Latvijas Universitate,University of Latvia
-
- Erts, Donats (författare)
- Latvijas Universitate,University of Latvia
-
- Lombardi, Floriana, 1967 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2021
- 2021
- Engelska.
-
Ingår i: Physical Review Applied. - 2331-7019. ; 16:2
- Relaterad länk:
-
https://research.cha... (primary) (free)
-
visa fler...
-
https://research.cha...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Nanoribbons of topological insulators (TIs) have been suggested for a variety of applications exploiting the properties of the topologically protected surface Dirac states. In these proposals it is crucial to achieve a high tunability of the Fermi energy, through the Dirac point while preserving a high mobility of the involved carriers. Tunable transport in TI nanoribbons has been achieved by chemical doping of the materials so to reduce the bulk carriers' concentration, however at the expense of the mobility of the surface Dirac electrons, which is substantially reduced. Here we study bare Bi2Se3 nanoribbons transferred on a variety of oxide substrates and demonstrate that the use of a large relative permittivity SrTiO3 substrate enables the Fermi energy to be tuned through the Dirac point and an ambipolar field effect to be obtained. Through magnetotransport and Hall conductance measurements, performed on single Bi2Se3 nanoribbons, we demonstrate that electron and hole carriers are exclusively high-mobility Dirac electrons, without any bulk contribution. The use of SrTiO3 allows therefore an easy field effect gating in TI nanostructures providing an ideal platform to take advantage of the properties of topological surface states.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Atom- och molekylfysik och optik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Atom and Molecular Physics and Optics (hsv//eng)
- NATURVETENSKAP -- Kemi -- Materialkemi (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Chemical Sciences -- Materials Chemistry (hsv//eng)
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Materialteknik -- Annan materialteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Materials Engineering -- Other Materials Engineering (hsv//eng)
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Kunakova, Gunta, ...
-
Bauch, Thilo, 19 ...
-
Palermo, Xavier, ...
-
Salvato, Matteo
-
Andzane, Jana
-
Erts, Donats
-
visa fler...
-
Lombardi, Floria ...
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Atom och molekyl ...
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Kemi
-
och Materialkemi
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Materialteknik
-
och Annan materialte ...
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
-
Physical Review ...
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola